Innehållsförteckning:
- Definition - Vad innebär EDO RAM-minne för utvidgat data ut (Random Access Memory)?
- Techopedia förklarar Extender Data Out Random Access Memory (EDO RAM)
Definition - Vad innebär EDO RAM-minne för utvidgat data ut (Random Access Memory)?
Utökat data ut slumpmässigt åtkomstminne (EDO RAM / DRAM) är en tidig typ av dynamisk random accessminne (DRAM) -chip som utformades för att förbättra prestandan för snabbsidans DRAM (FPM DRAM) som användes under 1990-talet. Huvudfunktionen var att den eliminerade väntetiderna genom att tillåta en ny cykel att starta samtidigt som datautgångsbufferten från den föregående cykeln var aktiv, vilket möjliggör en grad av rörledning (överlappning i drift) som förbättrade prestandan.
Techopedia förklarar Extender Data Out Random Access Memory (EDO RAM)
Utökat data med dynamiskt slumpmässigt åtkomstminne introducerades 1994 och började ersätta snabbsidesläget DRAM år 1995 när Intel först introducerade 430FX-chipset som stöder EDO DRAM. Innan dess kunde EDO DRAM ersätta FPM DRAM, men om minneskontrollern inte var speciellt utformad för EDO, förblev prestanda densamma som FPM.
Encyklad EDO DRAM kan utföra en hel minnestransaktion i en enda klockcykel, annars kan den göra det i två cykler istället för tre, när sidan har valts. EDO: s kapacitet gjorde det möjligt att ersätta den långsamma L2-cachen för datorer vid den tiden och minskade den enorma prestandaförlusten som är förknippad med L2-cachen, och samtidigt göra datorer billigare att bygga totalt sett. Så ett system som använder EDO med L2-cache var mycket snabbare jämfört med FPM- och L2-cache-kombinationen, samtidigt som det var billigare att bygga.
EDO bedömdes för 40 MHz maximal klockfrekvens, 64 bitar bussbandbredd, 320 MBps toppbandbredd och körde med 5 volt. Det var påtagligt snabbare än den äldre FPM DRAM som bara hade 25 MHz maximal klockfrekvens och 200 MBps maximal bandbredd. Men det ersattes av den snabbare SDRAM som startades 1996, efter bara två års stor användning.
